Trang chủ - Các sản phẩm - Tấm silicon đơn tinh thể - Thông tin chi tiết

wafer đơn tinh thể cho năng lượng mặt trời

Chúng tôi có rất nhiều loại Tấm silicon trong kho. Ngoài ra, Chúng tôi cam kết đáp ứng các yêu cầu của khách hàng về thông số kỹ thuật hoặc tiêu chuẩn đặc biệt.

Gửi yêu cầu

Mô tả

Sự miêu tả

Các tấm wafer đơn tinh thể là một lựa chọn phổ biến cho các ứng dụng năng lượng mặt trời do hiệu quả và độ bền cao của chúng. Các tấm wafer đơn tinh thể được làm từ một tinh thể silicon duy nhất, được cắt thành các tấm wafer mỏng và sau đó được xử lý để tạo ra pin mặt trời. Các tế bào năng lượng mặt trời thu được có bề ngoài đồng nhất và hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao.

Quá trình sản xuất các tấm wafer đơn tinh thể bao gồm nấu chảy silicon có độ tinh khiết cao trong nồi nấu kim loại và sau đó làm nguội từ từ để tạo thành một tinh thể đơn, lớn. Tinh thể sau đó được cắt thành các tấm mỏng bằng cưa kim cương. Các tấm wafer sau đó được làm sạch, đánh bóng và khắc để loại bỏ bất kỳ tạp chất hoặc khuyết tật nào.

Khi các tấm wafer đã được chuẩn bị xong, chúng được phủ một lớp silicon pha tạp phốt pho để tạo ra mối nối pn, cho phép pin mặt trời chuyển đổi ánh sáng mặt trời thành điện năng. Sau đó, các tế bào này được lắp ráp thành một tấm pin mặt trời, có thể được sử dụng để tạo ra điện từ ánh sáng mặt trời.

Sự chỉ rõ

Tham số	Sự chỉ rõ
đường kính wafer	125 mm (5 inch) hoặc 156 mm (6 inch)
độ dày wafer	200 μm, 250 μm, 300 μm hoặc 400 μm
định hướng wafer	(100) hoặc (111)
loại tạp chất	Boron (loại p) hoặc Phốt pho (loại n)
nồng độ dopant	1E16 - 1E19 nguyên tử/cm³
điện trở suất	{{0}}.1 - 10 Ω.cm đối với tấm lát loại p, 0.5 - 50 Ω.cm đối với tấm lát loại n
TTV (Tổng độ dày thay đổi)	Nhỏ hơn hoặc bằng 5 μm
Cây cung	Nhỏ hơn hoặc bằng 40 μm (125 mm) hoặc Nhỏ hơn hoặc bằng 50 μm (156 mm)
Làm cong	Nhỏ hơn hoặc bằng 40 μm (125 mm) hoặc Nhỏ hơn hoặc bằng 50 μm (156 mm)
độ nhám bề mặt	Ra Nhỏ hơn hoặc bằng 1 nm (được đánh bóng một mặt) hoặc Ra Nhỏ hơn hoặc bằng 0.5 nm (được đánh bóng hai mặt)