Tấm silicon đơn tinh thể cho quang điện tử
tấm silicon đơn tinh thể là một vật liệu quan trọng cho lĩnh vực quang điện tử. Các đặc tính quang học và điện tử độc đáo của chúng làm cho chúng trở nên lý tưởng cho nhiều ứng dụng, từ bộ tách sóng quang và đèn LED đến pin mặt trời và hơn thế nữa.
Mô tả
Sự miêu tả
Các tấm silicon đơn tinh thể được sử dụng rộng rãi trong quang điện tử do tính chất quang học độc đáo và hiệu suất điện tử tuyệt vời của chúng. Quang điện tử là một lĩnh vực nghiên cứu kết hợp các nguyên tắc của quang học và điện tử, tập trung vào các thiết bị sử dụng ánh sáng để truyền và xử lý thông tin.
Một trong những ứng dụng phổ biến nhất của tấm silicon đơn tinh thể trong quang điện tử là sản xuất bộ tách sóng quang. Bộ tách sóng quang là thiết bị điện tử chuyển đổi năng lượng ánh sáng thành tín hiệu điện. Các tấm wafer silicon đơn tinh thể rất lý tưởng cho các ứng dụng bộ tách sóng quang vì chúng thể hiện độ nhạy cao với ánh sáng và độ ồn thấp, điều cần thiết để phát hiện tín hiệu chính xác.
Sự chỉ rõ
| Đường kính | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Cấp | Xuất sắc | ||||||
| phương pháp tăng trưởng | CZ | ||||||
| Định hướng | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Loại/Dopant | Loại P/Boron , Loại N/Phos, Loại N/As, Loại N/Sb | ||||||
| Độ dày (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Dung sai độ dày | Tiêu chuẩn ± 25μm, Khả năng tối đa ± 5μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| điện trở suất | 0.001 - 100 ôm-cm | ||||||
| Bề mặt hoàn thiện | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Tiêu chuẩn< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Cung/Warp (?m) | Tiêu chuẩn<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Tấm silicon đơn tinh thể là một vật liệu quan trọng cho lĩnh vực quang điện tử. Các đặc tính quang học và điện tử độc đáo của chúng làm cho chúng trở nên lý tưởng cho nhiều ứng dụng, từ bộ tách sóng quang và đèn LED đến pin mặt trời và hơn thế nữa.
Chú phổ biến: tấm silicon đơn tinh thể cho quang điện tử
Gửi yêu cầu
Bạn cũng có thể thích
