Trang chủ - Các sản phẩm - Cacbua silic - Thông tin chi tiết
Hiệu suất điện vượt trội Silicon carbide
video
Hiệu suất điện vượt trội Silicon carbide

Hiệu suất điện vượt trội Silicon carbide

Silicon carbide (SiC) thể hiện hiệu suất điện vượt trội so với các vật liệu dựa trên silicon truyền thống, khiến nó rất được ưa chuộng cho các ứng dụng điện tử khác nhau.

Mô tả

 

Sự miêu tả

Các thuộc tính độc đáo của SiC cho phép các thiết bị điện tử hiệu suất cao với hiệu quả và độ tin cậy được nâng cao.
Hiệu suất điện vượt trội Silicon carbide.Khoảng cách rộng của SiC cho phép điện áp đánh thủng cao hơn, cho phép phát triển các thiết bị điện cao áp. Các thiết bị dựa trên SiC có thể hoạt động ở điện áp cao hơn trong khi vẫn duy trì tính toàn vẹn về cấu trúc và hiệu suất điện của chúng. Đặc tính này đặc biệt thuận lợi trong các ứng dụng điện tử công suất, nơi yêu cầu khả năng điện áp cao hơn.

Sự chỉ rõ
Tài sản Giá trị
Công thức hóa học Sic
Cấu trúc tinh thể lục giác
Tỉ trọng 3,21 g/cm³
Độ nóng chảy 2.730 độ (4.946 độ F)
Độ cứng (thang Mohs) 9.5
Dẫn nhiệt 120-200 W/m·K
điện trở suất 10⁵-10⁷ Ω·m
Hệ số giãn nở nhiệt (CTE) 4.0-6.0 x 10⁻⁶/ độ
Nhiệt độ hoạt động tối đa 1,600-2,800 độ (2,912-5,072 độ F)
mô đun Young 370-700 GPa
tỷ lệ Poisson 0.16-0.22
Hằng số điện môi 9.7-10.7
năng lượng băng thông 2.2-3.3 eV
kháng hóa chất Khả năng chống axit, kiềm và oxy hóa cao
Nhiệt kháng sốc Xuất sắc
Chịu mài mòn Xuất sắc
Hao mòn điện trở Xuất sắc
ổn định nhiệt độ cao Xuất sắc

 

 

Superior Electrical Performance Silicon Carbide

Superior Electrical Performance Silicon Carbide

Hiệu suất điện vượt trội Silicon carbide. Hơn nữa, SiC thể hiện vận tốc bão hòa cao hơn silicon, cho phép vận chuyển điện tử nhanh hơn và cải thiện hiệu suất thiết bị ở tần số cao. Các thiết bị dựa trên SiC có thể hoạt động ở tốc độ chuyển mạch cao hơn, cho phép chuyển đổi năng lượng hiệu quả và giảm tổn thất chuyển mạch. Đặc tính này làm cho SiC phù hợp với các ứng dụng tần số cao như hệ thống thông tin liên lạc không dây và hệ thống radar.

SiC cũng thể hiện nồng độ chất mang bên trong thấp hơn và giảm dòng rò so với silicon. Đặc tính này dẫn đến tổn thất dẫn truyền thấp hơn và cải thiện hiệu suất năng lượng trong các thiết bị điện tử. Điện tử công suất dựa trên SiC có thể đạt được hiệu suất năng lượng cao hơn, giảm tiêu thụ điện năng và sinh nhiệt.

Câu hỏi thường gặp

Hỏi: Bạn là công ty thương mại hay nhà sản xuất?
A: Chúng tôi là nhà sản xuất đặt tại Hà Nam, Trung Quốc. Tất cả các khách hàng của chúng tôi từ trong hoặc ngoài nước. Mong được thăm viếng của bạn.

Hỏi: lợi thế của bạn là gì?
A: Chúng tôi có nhà máy riêng của chúng tôi. Chúng tôi có nhiều kinh nghiệm trong lĩnh vực luyện thép luyện kim.

Q: Giá có thể thương lượng không?
Trả lời: Có, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi bất cứ lúc nào nếu bạn có bất kỳ câu hỏi nào. Và đối với những khách hàng muốn mở rộng thị trường, chúng tôi sẽ cố gắng hết sức để hỗ trợ.

Liên hệ chúng tôi

1

 

Chú phổ biến: cacbua silic hiệu suất điện vượt trội

Bạn cũng có thể thích

Các túi mua sắm