Sự khác biệt giữa polysilicon và silicon kết tinh là gì?
Để lại lời nhắn
Sự khác biệt giữa silicon đơn tinh thể và silicon polycrystalline là gì?
| Tài sản | Silicon đơn tinh thể | Silicon đa tinh thể |
|---|---|---|
| Cấu trúc tinh thể | Mạng tinh thể đơn liên tục | Nhiều tinh thể nhỏ với ranh giới hạt |
| Phương pháp sản xuất | Quá trình Czochralski (chậm, tinh khiết cao) | Đúc silicon nóng chảy (nhanh hơn, hiệu quả về chi phí) |
| Hiệu quả (năng lượng mặt trời) | 15-24% (chuyển đổi năng lượng cao hơn) | 13-18% (thấp hơn do khuyết tật hạt) |
| Chất thải vật chất | ~ Mất 50% khi cắt các thỏi hình trụ | Chất thải tối thiểu (đúc trực tiếp) |
| Vẻ bề ngoài | Đồng nhất màu đen đen | Bề mặt màu xanh lốm đốm |
Sự khác biệt giữa polysilicon và silicon kết tinh là gì?
Làm rõ: "Polysilicon" so với "Silicon kết tinh"
Polysilicon (Poly-Si): đồng nghĩa vớiSilicon đa tinh thể, đề cập đến silicon được củng cố thành nhiều hạt tinh thể.
Silicon kết tinh: không phải là một thuật ngữ kỹ thuật tiêu chuẩn; thường ngụ ý một trong haihoàn toàn đơn sắc(kết tinh hoàn toàn) hoặcđa tinh thể(kết tinh một phần) silicon. Bối cảnh công nghiệp sử dụng "silicon polycrystalline" riêng.
Các nguyên liệu thô cho silicon polycrystalline là gì?
Nguyên liệu cho sản xuất silicon đa tinh thể
Đầu vào chính bao gồm:
Silicon lớp luyện kim (MG-SI): ~ 98% tinh khiết, có nguồn gốc từ giảm thạch anh trong các lò hồ quang.
Máy lọc hóa học: Các hợp chất clo (ví dụ: SIHCL₃) cho sàng lọc quy trình của Siemens.
Tinh thể hạt: Các mảnh vỡ để bắt đầu hóa rắn có kiểm soát trong khuôn đúc.
Là silicon polycrystalline dẫn điện?
Độ dẫn điện của silicon đa tinh thể
Trạng thái vốn có: Poly-Si thuần túy là mộtchất bán dẫn-behaves như một chất cách điện ở số không tuyệt đối nhưng đạt được độ dẫn điện với kích thích nhiệt/ánh sáng.
Sự phụ thuộc doping: Độ dẫn điện có thể điều chỉnh:
Pha tạp phốt pho→ loại N (dẫn điện tử)
Boron doping→ P-Type (Dây dẫn lỗ)
Tác động ranh giới hạt: Giao diện tinh thể tán xạ các chất mang, giảm khả năng vận động so với Mono-Si. Dây dẫn tại các ranh giới theo sự phát xạ Poole-Frenkel dưới các trường cao.
Số liệu hiệu suất chính
Tính di động của điện tử: mono-si: ~ 1.400 cm²/v · s|Poly-si:<800 cm²/V·s
Ổn định nhiệt: Poly-Si giữ lại tính toàn vẹn cấu trúc lên đến 1.400 độ, rất quan trọng đối với các quy trình nhiệt độ cao.
Sự thống trị công nghiệp: Poly-Si constitutes >80% thể tích silicon mặt trời do sản xuất có thể mở rộng.
Hiệu quả vượt trội của Mono-Si biện minh cho việc sử dụng nó trong các ứng dụng điện tử và không gian cao cấp, trong khi Poly-Si thống trị các trang trại năng lượng mặt trời trên mặt đất thông qua việc áp dụng chi phí.
Thăm nomFerro-silicon-ulloy.comĐể tìm hiểu thêm về sản phẩm. Nếu bạn muốn biết thêm về giá sản phẩm hoặc quan tâm đến việc mua hàng, vui lòng gửi email đếninfo@zaferroalloy.com. Chúng tôi sẽ liên hệ lại với bạn ngay khi chúng tôi thấy tin nhắn của bạn.
