Tấm wafer silicon giả đơn tinh thể 300mm

Các tấm silicon đơn tinh thể được tạo ra bằng cách phát triển một tinh thể silicon đơn lẻ từ một tinh thể mầm bằng phương pháp Czochralski. Trong quá trình này, một hạt tinh thể nhỏ được nhúng vào silicon nóng chảy và từ từ kéo ra trong khi quay, tạo ra một thỏi hình trụ. Sau đó, phôi được cắt thành các tấm mỏng bằng cưa dây kim cương.

Tấm silicon đơn tinh thể là chất nền đồng nhất và không có khuyết tật được làm từ một tinh thể silicon. Chúng thường có dạng hình tròn với đường kính từ vài mm đến 450 mm trở lên và độ dày từ vài micron đến vài trăm micron.

Các tấm wafer silicon đơn tinh thể mang lại các đặc tính điện tuyệt vời, bao gồm tính linh động của chất mang cao, điện trở thấp và độ bền điện môi cao, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng hiệu suất cao. Chúng cũng có độ dẫn nhiệt cao và có thể chịu được nhiệt độ cao, điều này rất quan trọng đối với độ tin cậy của thiết bị.